- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت 2N65 TO252-VB
2N65 TO252-VB دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | 2N65 TO252-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 70.488 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت 2N65 TO252-VB |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec 2N65 TO252-VB
- Power Dissipation (Pd): 60W
- Drain Source Voltage (Vdss): 650V
- Continuous Drain Current (Id): 2A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.8Ω@10V,3.1A
- Package: TO-252
- Manufacturer: VBsemi Elec